探究四核真实性能至强5320评测（上）

作者：佚名文章来源：在线存储更新时间：2007-4-25 16:19:05

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　　2006年11月14日，随着令人激动的小提琴音乐的凑向，英特尔公司在中国北京华彬大厦发布了全球第一款面向服务器领域的四核处理器产品。从服务器版的四核处理器发布到现在已经一个月有余，这期间我们在市场上已经看到已经四核至强的零售版本正式出货，于是我们也通过个人途径在第一时间拿到了这款四核至强5320处理器的正式版产品。

　　在四核处理器发布之后，随着对四核处理器报道的深入，有很多用户都提出了一些与自己生活、工作有关的问题：我们该不该用四核？我现在用的是双核产品如果升级四核投资成本会不会很高呢？四核处理器的性能究竟有多强？除此之外，还有很多用户保持一个持币观望的态度。带着这些问题，我们对四核Xeon5320处理器作了一个简单的评测，在测试之前我们还是先来了解一下四核处理器的技术特点。

　　

英特尔全球副总裁兼亚太区总经理杨旭在四核发布现场

　　制程

　　新一代四核处理器同样采用了与Woodcrest一样的65纳米制程，首先采用65纳米制程可以使处理器的集成度更高，也就是我们经常提到的晶体管数量。传统90纳米制成的Prescott核心晶体管总数是1亿2500万个，最新的Woodcrest双核心处理器晶体管规模将突破3亿个，这样看来如果想制造出更高核心数量的处理器提高制程是必然的。

　　

65纳米晶圆

　　另外，Intel在65纳米制成工艺的发展是比较重视的。今天6月26日，Intel在爱尔兰Leixlip耗资约20亿美元开设了欧洲第一座65nm工艺晶圆代工厂,并将其命名为Fab 24-2。另外两座65nm工厂均位于美国本土，分别是俄勒冈州Hillsboro的D1D和亚利桑那州Chandler的Fab 12。新工厂的建成将全面有助于Intel在多核处理器领域上推广的速度。

　　其实，采用65纳米制程制造新处理器关键之处是在于它的功耗降低了。采用90纳米制程的处理器泄漏电流现象严重，这直接导致了处理器的功耗过高，所谓泄漏电流也就是指晶体管不管导通还是截止(开关)，均有电流流动。要想减少电流的流失，就必须提高电子迁移率，或者减少泄漏电流通道等泄漏电流降低技术的生产线，这些必须要借助65nm技术才能完成。

责任编辑：layeh12

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