Hynix发布60nm DDR2-800内存

作者：佚名文章来源：在线存储更新时间：2007-4-24 13:19:34

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韩国Hynix半导体今天宣布推出基于60nm 1Gbit DDR2 DRAM芯片的系列高容量内存模组。这种新内存适用于高密度DRAM组件和高性能产品，诸如图形和移动DRAM。Hynix表示将在明年上半年进行商业量产。

　　1GB和2GB UDIMMs工作频率在800MHz，并且通过Intel认证。Hynix强调，和第一代80nm技术相比，在60nm制程大规模部署之后，1Gbit DRAM的生产成本预期将降低50%。

　　1Gbit封装尺寸的结果，将让Hynix可以低成本生产4GB或者以上容量的RDIMM、FB-DIMM。双列小封装尺寸将免除在模组上堆叠部件的要求，以进一步降低生产成本。小封装尺寸也可以生产出VLP模组。

责任编辑：layeh12

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